数字IC物理验证LVS之 PSUB2 & DNWELL

数字IC物理验证LVS之 PSUB2 & DNWELL

4个月前 (01-08) 浏览: 163 评论: 0

数字IC物理验证LVS之 PSUB2 & DNWELL   今天吾爱IC社区小编简单和大家分享下数字IC设计实现物理验证阶段LVS中的一个比较重要的概念。主要介绍版图中的PSUB2,DNWELL和NWELL。   PSUB2 & DNW   PSUB2:是TSMC工艺内部使用的LVS虚拟层,用于区分隔离不同的衬底地电位,在多个不同衬底地电位的设计中用来避免SOF

eetop网友疑问之IC设计物理验证阶段LVS BOX答疑

eetop网友疑问之IC设计物理验证阶段LVS BOX答疑

4个月前 (01-05) 浏览: 151 评论: 0

eetop网友疑问之IC设计物理验证阶段LVS BOX答疑 Lvs box功能在IC设计物理验证阶段算是常用功能之一。把底层看成黑盒,不影响上层的同事去跑lvs。前提是底层的cell要有对应的pin。Box的使用也非常简单,其中layout的名字和Schematic名字有两种对应的情况:名字一致和名字不一致。下面我们来详细介绍一下box的具体用法。   1 BOX语句写在哪?   运行calibr

IC设计物理验证LVS Correct怎么变成了连接关系有错?

IC设计物理验证LVS Correct怎么变成了连接关系有错?

4个月前 (01-03) 浏览: 74 评论: 0

IC设计物理验证LVS Correct怎么变成了连接关系有错?   在LVS command file中,经常遇到如下条件定义:   #IFDEF LVS_CHECK   #IFDEF RC_CHECK   上述2个条件定义一般是二选一的关系,用户可以选择LVS_CHECK,也可以选择RC_CHECK。经常会遇到这样的问题,先设置LVS_CHECK,运行lv

数字IC后端设计实现添加Seal Ring的详细步骤

数字IC后端设计实现添加Seal Ring的详细步骤

5个月前 (11-20) 浏览: 735 评论: 0

数字IC后端设计实现添加Seal Ring的详细步骤   在数字IC后端设计实现中,通过了DRC和LVS之后,在Tape out之前,需要依次进行以下操作: 加Seal Ring,检查DRC,当只剩下AA(有源区)间距、密度这种错误后,做第二步(AA间距问题后边可以通过加AA的Dummy来解决,同理,密度问题也是); 用脚本加Dummy,检查DRC、LVS。 下面介绍在版图中加SealR

数字IC后端物理验证LVS(Layout Versus Schematics)就是这么简单!

数字IC后端物理验证LVS(Layout Versus Schematics)就是这么简单!

5个月前 (11-17) 浏览: 415 评论: 0

数字IC后端物理验证LVS(Layout Versus Schematics)就是这么简单!   今天吾爱IC社区小编为大家带来数字IC后端实现物理验证中关于LVS的主题分享。其实小编一直觉得这个主题没啥可讲的,考虑到一些新手没有太多的经验,还是做个简单的分享。经验都是来源于实际项目所积累的,所以建议多实践,毕竟实践出真知,实践是检验真理的唯一标准。后续还会简单做一个关于物理验证中DRC

浅谈数字IC后端实现中如何用Calibre给版图加Metal fill/dummy

浅谈数字IC后端实现中如何用Calibre给版图加Metal fill/dummy

5个月前 (11-13) 浏览: 414 评论: 0

浅谈数字IC后端实现中如何用Calibre给版图加Metal fill/dummy 在自己的版图通过了DRC和LVS之后,在Tape out之前,需要依次进行以下操作: 加Seal Ring,检查DRC,当只剩下AA(有源区)间距、密度这种错误后,做第二步(AA间距问题后边可以通过加AA的Dummy来解决,同理,密度问题也是); 用脚本加Dummy,检查插dummy后setup time和hold

浅谈天线效应

浅谈天线效应

1年前 (2017-11-03) 浏览: 225 评论: 0

在芯片生产过程中,暴露的金属线或者多晶硅(polysilicon)等导体,就象是一根根天线,会收集电荷(如等离子刻蚀产生的带电粒子)导致电位升高。天线越长,收集的电荷也就越多,电压就越高。若这片导体碰巧只接了MOS 的栅,那么高电压就可能把薄栅氧化层击穿,使电路失效,这种现象我们称之为“天线效应”。随着工艺技术的发展,栅的尺寸越来越小,金属的层数越来越多,发生天线效应的可能性就越大。[1] 中文名

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