论静态时序分析STA关于SOCV和POCV模型

论静态时序分析STA关于SOCV和POCV模型

静态时序分析STA 1个月前 (01-08) 浏览: 46 评论: 0

   论静态时序分析STA关于SOCV和POCV模型   静态时序分析STA无疑是数字集成电路设计实现方法学中最『漂亮』的模型之一,但是随意着工艺进步,local varition 的随机性及重要性增加,传统STA 的局限性日渐突出。大概在十五年前,SSTA成了一个研究热点,相较于传统的STA,SSTA 不再是针对单一的timing 进行分析,它的分析结果是一个统计分布,通过这

论IC设计 SOCV and POCV 之 variation

论IC设计 SOCV and POCV 之 variation

静态时序分析STA 1个月前 (01-07) 浏览: 41 评论: 0

论IC设计 SOCV and POCV 之 variation   芯片制造涉及到许多复杂重复的过程,如:光刻、蚀刻、离子注入、扩散、退火。而且都是原子级操作,尽管控制非常严格,但偏差不可避免。工艺偏差会导致芯片物理参数偏差,如:线宽、沟道掺杂浓度、线厚、临界尺寸、栅氧厚度;而物理参数偏差会导致电特性参数偏差,如:线的电容电阻、阈值电压、饱和电流、栅极电容;电特性参数偏差会导致 cell

IC设计timing signoff静态时序分析中的SOCV和POCV详解

IC设计timing signoff静态时序分析中的SOCV和POCV详解

静态时序分析STA 1个月前 (01-06) 浏览: 30 评论: 0

IC设计timing signoff静态时序分析中的SOCV和POCV详解 工艺偏差自集成电路诞生之日起,就是一个无法规避的因素,ic芯片制造过程不比生个娃简单,且每一个过程都极其精细,即使极尽所能地控制制造过程的偏差,但随着工艺进步,工艺偏差对芯片性能的影响却日渐凸现。为了模拟工艺偏差对芯片性能的影响,引入了On chip variation模型,40nm 之前简单的flat derate模型基

论数字IC设计静态时序分析STA中SOCV和POCV模型及其应用

论数字IC设计静态时序分析STA中SOCV和POCV模型及其应用

静态时序分析STA 2个月前 (12-31) 浏览: 41 评论: 0

   论数字IC设计静态时序分析STA中SOCV和POCV模型及其应用 静态时序分析STA无疑是数字集成电路设计实现方法学中最『漂亮』的模型之一,但是随意着工艺进步,local varition 的随机性及重要性增加,传统STA 的局限性日渐突出。大概在十五年前,SSTA成了一个研究热点,相较于传统的STA,SSTA 不再是针对单一的timing 进行分析,它的分析结果是一个统计分布,通过这个统计

数字IC后端设计实现时序分析中的OCV,AOCV 和POCV的应用

数字IC后端设计实现时序分析中的OCV,AOCV 和POCV的应用

数字后端实现 3个月前 (11-10) 浏览: 113 评论: 0

数字IC后端设计实现时序分析中的OCV,AOCV 和POCV的应用     随着数字集成电路向深亚微米工艺的推进,数字IC设计时序分析越来越复杂,设计中需要考虑的东西也越来越多。下边给出随工艺节点的进步,时序收敛过程的过程中需要关注的一些问题:   在65 nm以前的工艺中,工艺的非线性不明显,为了省事,设计者在分析设计时只用考虑Best Case(BC)和Worst

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